ミラートロンスパッタ装置
 Mirror Tron Sputtering System

Model:MTS
ミラートロンスパッタ装置(MTS)は、従来のマグネトロンスパッタ装置(MS)に比べ、超高速で高品質な成膜を実現しました。
Mirror Tron sputtering system provides high quality thin film at ultra-high speed than conventional magnetron sputtering system.


 代表的な成膜例/Typical thin film

 SiO2 , Al2O3 ,Ta2O5, ZnO , ITO , EMI

MTS-L2000-2T
(開発実験機/Demonstration Model)

 特徴/Feature

 MS

プラズマに曝されるための基板の損傷や膜の組成ずれが生じます。

 MTS

サブストレートをプラズマ領域の外側に設置するため、電子やアルゴンイオンの影響を受けにくくヒビやクラックなどの基板損傷が起こらず(プラズマ衝撃フリー)歩留まりの向上が図れます。

 MS

Being exposed to plasma causes damage to substrate and displacement of film composition.

 MTS

As substrate is placed outside plasma area and not affected by electron or argon ion, substrate damage such as crazing or crack does not occur and yield is improved.


 成膜速度と温度/Film forming Speed and temperature
 
 MS RF電源を用いて導電性(または絶縁体)ターゲットに反応ガスを導入する手法のため、ターゲットが酸化されレートが遅くなります。また、輻射による基板の温度上昇も発生します。
 MTS スパッタガン部と基板が完全に独立しているため、スパッタガン部ではDC電源によるスパッタのみを行い、成膜部では基板付近に反応性ガスを導入するため、高速レートが可能となります。また、高エネルギー粒子による衝撃が少ないため基板の温度上昇を抑えることが可能です。
 MS Method to induct reactive gas to conductive (insulator) target using RF power source results in oxidation of target and decreasing rate, and also elevation of substrate temperature by radiation.
 MTS Sputtering gun part is completely divided from substrate. As sputtering gun part just performs sputtering by DC power source and film forming part inducts reactive gas to vicinity of substrate, high rate is possible. Due to less impact of high energy particle, elevation of substrate temperature can be restrained.

 ミラートロンスパッタ法/Mirror Tron sputtering method
  MTSは磁場をターゲットのスパッタ面に垂直、つまり電場に対して平行に印加するため、2次電子はターゲットのスパッタ面に垂直な磁力線に巻き付いてArガスと衝突しイオン化するため高密度プラズマが2枚のターゲット間全体に生成されます。この方式により、強磁性体をターゲットとした場合でも磁場が保持され、ターゲット厚に関係なく高速スパッタが可能となります。
MTS impresses magnetic field perpendicular to sputtering surface of target, that is, parallel to electric field, and secondary electron winds around magnetic lines of force perpendicular to sputtering surface of target, bumps into and ionizes argon gas. Thus, high density plasma is generated in entire space between 2 targets. This method retains magnetic field even in case of ferromagnetic target and makes high-speed sputtering possible irrespective of target thickness.

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